ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N6373
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N6373 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N6373
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 5V | |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 9.4V | |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 6V | |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | |
| ชนิด | Zener | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ชุด | Mosorb™ | |
| การป้องกันสายไฟ | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| พลังงาน - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | - | |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6373 | |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N6373
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N6373 | 1N6376G | 1N6461US | 1N6376G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Littelfuse Inc. | Microchip Technology | onsemi |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose | General Purpose | General Purpose | General Purpose |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | - | - | 315A (8/20µs) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | Axial | B, Axial | Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| ชนิด | Zener | Zener | Zener | Zener |
| การป้องกันสายไฟ | No | No | No | No |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | - | - | - |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | 1 | 1 | 1 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6373 | 1N6376 | 1N6461 | 1N6376 |
| พลังงาน - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) | 1500W (1.5kW) | 500W | 1500W (1.5kW) |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 5V | 12V | 5V | 12V |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 9.4V | 21.2V | 9V | 21.2V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | SQ-MELF, B | DO-201AD, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 6V | 14.1V | 5.6V | 14.1V |
| ชุด | Mosorb™ | Mosorb™ | - | Mosorb™ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N6373 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N6373 - onsemi
1N6305Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO51N6305RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5
1N6303AElectro-Films (EFI) / Vishay
1N6392JANTXMSCIGBT Module1N6376GLittelfuse Inc.TVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL1N6478-E3/75Electro-Films (EFI) / Vishay
1N6392Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB1N6392Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 54A DO51N6461USMicrochip TechnologyTVS DIODE 5VWM 9VC B AXIAL1N6304Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO51N6478-E3/76Electro-Films (EFI) / Vishay1N6302AElectro-Films (EFI) / Vishay1N6376GonsemiTVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL1N6306Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO51N6304RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5
1N6373MDE Semiconductor IncTVS DIODE UP 5VRWM 7.5VC1N6306RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO51N6391Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 25A DO203AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที