ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N6461US
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N6461US คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N6461US
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 5V | |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 9V | |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 5.6V | |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | |
| ชนิด | Zener | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, Axial | |
| ชุด | - | |
| การป้องกันสายไฟ | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| พลังงาน - Peak Pulse | 500W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 315A (8/20µs) | |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6461 | |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N6461US
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N6461US | 1N6373 | 1N6376G | 1N6373 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | onsemi | Littelfuse Inc. | MDE Semiconductor Inc |
| ชนิด | Zener | Zener | Zener | Zener |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose | General Purpose | General Purpose | General Purpose |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | 1 | 1 | 1 |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 5V | 5V | 12V | 5V |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 315A (8/20µs) | - | - | 160A |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | - | - | - |
| พลังงาน - Peak Pulse | 500W | 1500W (1.5kW) | 1500W (1.5kW) | 1500W (1.5kW) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, Axial | Axial | Axial | DO-201 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6461 | 1N6373 | 1N6376 | - |
| การป้องกันสายไฟ | No | No | No | No |
| ชุด | - | Mosorb™ | Mosorb™ | ICTE/MPTE |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 9V | 9.4V | 21.2V | 7.5V |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 5.6V | 6V | 14.1V | 6V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N6461US PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N6461US - Microchip Technology
1N6513VWI1N6515LLVMI1N6529VMI
1N6478-E3/75Electro-Films (EFI) / Vishay
1N6391Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 25A DO203AA1N6392JANTXMSCIGBT Module1N6392Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 54A DO51N6373onsemiTVS DIODE 5VWM 9.4VC AXIAL
1N6484-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB1N6392Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB1N6492Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF1N6478-E3/76Electro-Films (EFI) / Vishay1N6376GLittelfuse Inc.TVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL1N6373MDE Semiconductor IncTVS DIODE UP 5VRWM 7.5VC1N6517LLVMI
1N6376GonsemiTVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL1N6515VMI1N6479-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที