ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1SS400T5G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1SS400T5G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1SS400T5G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-523 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-79, SOD-523 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 80 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1SS400 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1SS400T5G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1SS400T5G | 1SS400_R1_00001 | 1SS401(TE85L,F) | 1SS400SMFHT2R |
| ผู้ผลิต | onsemi | Panjit International Inc. | Toshiba Semiconductor and Storage | Rohm Semiconductor |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1SS400 | 1SS400 | 1SS401 | 1SS400 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-523 | SOD-523 | SC-70 | EMD2 |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 80 V | 100 nA @ 80 V | 50 µA @ 20 V | 100 nA @ 80 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | - | 4 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 125°C (Max) | 150°C (Max) |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-79, SOD-523 | SC-79, SOD-523 | SC-70, SOT-323 | SC-79, SOD-523 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA | 450 mV @ 300 mA | 1.2 V @ 100 mA |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 225mA | 300mA | 100mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 80 V | 20 V | 80 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz | 3pF @ 0V, 1MHz | 46pF @ 0V, 1MHz | 3pF @ 500mV, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1SS400T5G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1SS400T5G - onsemi
1SS400SMLAPIS Technology1SS400_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 80V 225MA SOD523
1SS400T1G/1SS400CJ1SS401TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1SS400SM T2RLAPIS Technology1SS401(TE85LF)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1SS400TE-61LAPIS Technology1SS401(TE85L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1SS400T2RLAPIS Technology1SS401(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC701SS400_R1PANJIT1SS400SMFHT2RRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 80V 100MA EMD21SS400T1onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD5231SS400SMT2RRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 80V 100MA EMD21SS400TE61Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 80V 100MA EMD21SS400T1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD5231SS401 TE85LTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1SS400SUT2RLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที