ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1SS400TE61
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - 1SS400TE61 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - 1SS400TE61
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EMD2 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-79, SOD-523 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 80 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 3pF @ 0.5V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1SS400 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor 1SS400TE61
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1SS400TE61 | 1SS400_R1_00001 | 1SS400T5G | 1SS401(TE85L,F) |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Panjit International Inc. | onsemi | Toshiba Semiconductor and Storage |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1SS400 | 1SS400 | 1SS400 | 1SS401 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100mA | 225mA | 200mA | 300mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EMD2 | SOD-523 | SOD-523 | SC-70 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-79, SOD-523 | SC-79, SOD-523 | SC-79, SOD-523 | SC-70, SOT-323 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 80 V | 100 nA @ 80 V | 100 nA @ 80 V | 50 µA @ 20 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 125°C (Max) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 100 V | 20 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA | 450 mV @ 300 mA |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 3pF @ 0.5V, 1MHz | 3pF @ 0V, 1MHz | 3pF @ 0V, 1MHz | 46pF @ 0V, 1MHz |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1SS400TE61 PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ 1SS400TE61 - Rohm Semiconductor
1SS402(TE85L)F)SOT-3431SS401 TE85LTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1SS400_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 80V 225MA SOD5231SS400T5GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD5231SS400T1onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD5231SS400T1G/1SS400CJ1SS401(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC701SS401TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1SS400_R1PANJIT
1SS400SUT2RLAPIS Technology1SS400T2RLAPIS Technology1SS400T1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD5231SS402TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1SS401(TE85L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1SS400SM T2RLAPIS Technology1SS400TE-61LAPIS Technology1SS400SMT2RRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 80V 100MA EMD21SS400SMFHT2RRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที