ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N3442G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N3442G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N3442G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 140 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 5V @ 2A, 10A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-204 (TO-3) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 117 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-204AA, TO-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 80kHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 20 @ 3A, 4V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 200mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 10 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N3442 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N3442G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N3442G | 2N3440 | 2N3440 | 2N3494 |
| ผู้ผลิต | onsemi | STMicroelectronics | Microchip Technology | Microchip Technology |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N3442 | 2N34 | 2N3440 | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 117 W | 1 W | 800 mW | 600 mW |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 80kHz | 15MHz | - | 250MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tube | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 10 A | 1 A | 1 A | 100 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 140 V | 250 V | 250 V | 80 V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 200mA | 50µA | 2µA | 100nA (ICBO) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-204 (TO-3) | TO-39 | TO-39 (TO-205AD) | TO-5AA |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 20 @ 3A, 4V | 40 @ 20mA, 10V | 40 @ 20mA, 10V | 40 @ 50mA, 10V |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | PNP |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-204AA, TO-3 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 5V @ 2A, 10A | 500mV @ 4mA, 50mA | 500mV @ 4mA, 50mA | 300mV @ 1mA, 10mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N3442G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N3442G - onsemi
2N3440STMicroelectronicsTRANS NPN 250V 1A TO392N3440Microchip TechnologyTRANS NPN 250V 1A TO392N3494Microchip TechnologySMALL-SIGNAL BJT
2N3467Microchip TechnologyTRANS PNP 40V 1A TO392N3440Solid State Inc.TRANS NPN 250V 1A TO392N3500Microchip TechnologyTRANS NPN 150V 0.3A TO392N3440NTE Electronics, IncTRANS NPN 250V 1A TO39
2N3497Microchip TechnologySMALL-SIGNAL BJT
2N3439Solid State Inc.TRANS NPN 350V 1A TO392N3501Solid State Inc.BI-POLAR SILICON TRANSISTOR NPN
2N3468Central Semiconductor CorpTRANSISTOR2N3439NTE Electronics, IncTRANS NPN 350V 1A TO392N3486AMicrochip TechnologyTRANS PNP 60V 0.6A TO46-32N3440Harris CorporationTRANS NPN 250V 1A TO392N3501Microchip TechnologyTRANS NPN 150V 0.3A TO392N3468Microchip TechnologyTRANS PNP 50V 1A TO392N3500Solid State Inc.SILICON TRANSISTOR NPN TO-39
2N3440onsemiTRANS NPN 250V 1A TO39| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที