ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5210
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N5210 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N5210
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 30MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 250 @ 10mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 50 mA |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N5210
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5210 | 2N5210 | 2N5210TA | 2N5210 |
| ผู้ผลิต | onsemi | NTE Electronics, Inc | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA | 700mV @ 1mA, 10mA | 700mV @ 1mA, 10mA | 700mV @ 1mA, 10mA |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 50 mA | 50 mA | 100 mA | 50 mA |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 250 @ 10mA, 5V | 250 @ 10mA, 5V | 200 @ 100µA, 5V | 250 @ 10mA, 5V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bag | Bulk | Bulk |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 30MHz | 30MHz | 30MHz | 30MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 | TO-92 | TO-92-3 | TO-92 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | 625 mW | 625 mW | 625 mW |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
2N5210NTE Electronics, IncTRANS NPN 50V 0.05A TO922N5210TAonsemi2N5210 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
2N5245onsemiJFET N-CH 30V 15MA TO922N5210Fairchild Semiconductor2N5210 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
2N5240Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N5240Solid State Inc.TRANS NPN 300V 5A TO3
2N5195GonsemiTRANS PNP 80V 4A TO1262N5247Fairchild SemiconductorJFET N-CH 30V TO922N5245Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FET
2N5207Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5247onsemiJFET N-CH 30V TO92
2N5204Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 600V 35A TO208AA2N5206Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5205Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5210TAFairchild SemiconductorTRANS NPN 50V 0.1A TO92-3
2N5245Central Semiconductor CorpIC RF AMPLIFIER N-CH 30V TO922N5204Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5195onsemiTRANS PNP PWR GP 4A 80V TO225AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที