ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5195G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N5195G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N5195G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.4V @ 1A, 4A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 40 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 2MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 20 @ 1.5A, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5195 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N5195G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5195G | 2N5210TA | 2N5195 | 2N5195 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Solid State Inc. | NTE Electronics, Inc |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 40 W | 625 mW | - | 40 W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5195 | - | - | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.4V @ 1A, 4A | 700mV @ 1mA, 10mA | - | 1.2V @ 1A, 4A |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 2MHz | 30MHz | - | 2MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | TO-92-3 | TO-126 | SOT-32-3 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 20 @ 1.5A, 2V | 200 @ 100µA, 5V | - | 20 @ 1.5A, 2V |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 50 V | - | 80 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1mA | 50nA (ICBO) | - | 1mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | NPN | PNP | PNP |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bag |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | 100 mA | - | 4 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N5195G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N5195G - onsemi
2N5210TAonsemi2N5210 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
2N5204Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 600V 35A TO208AA2N5195Solid State Inc.TRANS PNP TO1262N5195NTE Electronics, IncTRANS PNP 80V 4A SOT32-3
2N5210Fairchild Semiconductor2N5210 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR2N5192GonsemiTRANS NPN 80V 4A TO1262N5192NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 4A TO1262N5210NTE Electronics, IncTRANS NPN 50V 0.05A TO92
2N5207Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5204Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5205Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5194GonsemiTRANS PNP 60V 4A TO1262N5191GonsemiTRANS NPN 60V 4A TO1262N5206Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5210onsemiTRANS NPN 50V 0.05A TO92
2N5192STMicroelectronicsTRANS NPN 80V 4A SOT32-32N5195STMicroelectronicsTRANS PNP 80V 4A SOT32-32N5195onsemiTRANS PNP PWR GP 4A 80V TO225AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที