ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6726
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N6726 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N6726
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | - | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-237 | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-237AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | - | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N6726 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N6726
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6726 | 2N6730 | 2N6725 | 2N6725 |
| ผู้ผลิต | onsemi | NTE Electronics, Inc | onsemi | NTE Electronics, Inc |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | 100nA (ICBO) | - | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | PNP | NPN - Darlington | NPN - Darlington |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N6726 | - | 2N6725 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | - | 80 @ 50mA, 1V | 4000 @ 1A, 5V | 4000 @ 1A, 5V |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | 100 V | 50 V | 50 V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | 500MHz | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | 2 A | 1 A | 1 A |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | - | 500mV @ 10mA, 250mA | 1.5V @ 2mA, 1A | 1.5V @ 2mA, 1A |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-237AA | TO-237AA | TO-237AA | TO-237AA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bag | Bulk | Bag |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-237 | TO-237 | TO-237 | TO-237 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6726 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N6726 - onsemi
2N6718V2N6718L-B-T6C-KUTC2N6786Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
2N6766Microsemi CorporationMOSFET N-CH 200V 30A TO32N6784Microsemi CorporationMOSFET N-CH 200V 2.25A TO392N6769AMI Semiconductor/onsemi2N6730NTE Electronics, IncTRANS PNP 100V 2A TO2372N6756Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET2N6718G-B-AB3-RUTC2N6725onsemiTRANS NPN DARL 50V 1A TO2372N6718L-AUTC2N6756Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 14A TO204AA2N6758 TO-3IR2N6782Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 3.5A TO392N6725NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 50V 1A TO2372N6718-TA2N6724onsemiTRANS NPN DARL 40V 1A TO2372N6718LUTC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที