ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ATP102-TL-H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Sanyo - ATP102-TL-H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Sanyo - ATP102-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 20A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 Leads+Tab) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1490 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Sanyo ATP102-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ATP102-TL-H | ATP104-TL-HX | ATP106-TL-H | ATP112-TL-H |
| ผู้ผลิต | Sanyo | onsemi | onsemi | onsemi |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | 60W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | 76 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 33.5 nC @ 10 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Ta) | 75A (Ta) | 30A (Ta) | 25A (Ta) |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 leads+tab) | ATPAK (2 leads+tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4V, 10V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | ATPAK | ATPAK | ATPAK |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 20A, 10V | 8.4mOhm @ 38A, 10V | 25mOhm @ 15A, 10V | 43mOhm @ 13A, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 40 V | 60 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1490 pF @ 10 V | 3950 pF @ 10 V | 1380 pF @ 20 V | 1450 pF @ 20 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ATP104-TL-HXonsemiMOSFET P-CH 30V 75A ATPAKATP106-TL-HonsemiMOSFET P-CH 40V 30A ATPAKATP102AMI Semiconductor/onsemiATP101AMI Semiconductor/onsemiATP106AMI Semiconductor/onsemiATP101-TL-HONsemiATP103AMI Semiconductor/onsemiATP107AMI Semiconductor/onsemiATP103-TL-HONsemiATP113AMI Semiconductor/onsemiATP112-TL-HonsemiMOSFET P-CH 60V 25A ATPAKATP101-V-TL-HonsemiMOSFET P-CH 30V 25A ATPAKATP108-TL-HonsemiMOSFET P-CH 40V 70A ATPAKATP101-TL-H-T MOSAMI Semiconductor/onsemiATP113-TL-HONsemi
ATP06-2SAmphenol Sine Systems CorpCONN PLUG HSG 2POSATP104AMI Semiconductor/onsemiATP104-TL-HSanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที