ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ATP208-TL-H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ATP208-TL-H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ATP208-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 45A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 Leads+Tab) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4510 pF @ 20 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 83 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 90A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ATP208 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ATP208-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ATP208-TL-H | ATP212-S-TL-H | ATP207-TL-H | ATP207-S-TL-H |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 90A (Ta) | 35A (Tj) | 65A (Ta) | 65A (Tj) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ATP208 | ATP212 | ATP207 | ATP207 |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±20V | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 45A, 10V | - | 9.1mOhm @ 33A, 10V | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | - | 40 V | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 83 nC @ 10 V | - | 54 nC @ 10 V | - |
| ประเภท FET | N-Channel | - | N-Channel | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | - | 50W (Tc) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4510 pF @ 20 V | - | 2710 pF @ 20 V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 leads+tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 leads+tab) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | ATPAK | ATPAK | ATPAK |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ATP208-TL-H PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ATP208-TL-H - onsemi
ATP212-S-TL-HonsemiMOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
ATP2421ATP Electronics, Inc.ATP207-TL-HonsemiMOSFET N-CH 40V 65A ATPAKATP207-S-TL-HonsemiMOSFET N-CH 40V 65A ATPAKATP212AMI Semiconductor/onsemiATP204-TL-HonsemiMOSFET N-CH 30V 100A ATPAKATP216-TL-HonsemiMOSFET N-CH 50V 35A ATPAKATP204 MOSAMI Semiconductor/onsemiATP207-TL-H MOSAMI Semiconductor/onsemiATP301-TL-HonsemiMOSFET P-CH 100V 28A ATPAKATP206AMI Semiconductor/onsemiATP208AMI Semiconductor/onsemiATP207SAMI Semiconductor/onsemiATP212-TL-HonsemiMOSFET N-CH 60V 35A ATPAKATP214AMI Semiconductor/onsemiATP214-TL-HonsemiMOSFET N-CH 60V 75A ATPAKATP213-TL-HonsemiMOSFET N-CH 60V 50A ATPAKATP206-TL-HonsemiMOSFET N-CH 40V 40A ATPAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที