ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ATP216-TL-H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ATP216-TL-H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ATP216-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 18A, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 leads+tab) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2700 pF @ 20 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ATP216 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ATP216-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ATP216-TL-H | ATP212-S-TL-H | ATP212-TL-H | ATP301-TL-H |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | - | 60 V | 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | ATPAK | ATPAK | ATPAK |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | - | 40W (Tc) | 70W (Tc) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ATP216 | ATP212 | ATP212 | ATP301 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2700 pF @ 20 V | - | 1820 pF @ 20 V | 4000 pF @ 20 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | - | 34.5 nC @ 10 V | 73 nC @ 10 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | - | ±20V | ±20V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Ta) | 35A (Tj) | 35A (Ta) | 28A (Ta) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 leads+tab) | ATPAK (2 leads+tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | - | 4V, 10V | 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 18A, 4.5V | - | 23mOhm @ 18A, 10V | 75mOhm @ 14A, 10V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | - | N-Channel | P-Channel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ATP216-TL-H PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ATP216-TL-H - onsemi
ATP212-S-TL-HonsemiMOSFET N-CH 60V 35A ATPAKATP212-TL-HonsemiMOSFET N-CH 60V 35A ATPAKATP301-TL-HonsemiMOSFET P-CH 100V 28A ATPAKATP302AMI Semiconductor/onsemiATP208AMI Semiconductor/onsemi
ATP2421ATP Electronics, Inc.ATP401AMI Semiconductor/onsemiATP213-TL-HonsemiMOSFET N-CH 60V 50A ATPAKATP302-TL-HonsemiMOSFET P-CH 60V 70A ATPAKATP304-TL-HonsemiMOSFET P-CH 60V 100A ATPAKATP214AMI Semiconductor/onsemiATP401-TL-HonsemiMOSFET N-CH 60V 100A ATPAKATP212AMI Semiconductor/onsemiATP207SAMI Semiconductor/onsemiATP214-TL-HonsemiMOSFET N-CH 60V 75A ATPAKATP303-TL-HAMI Semiconductor/onsemiATP208-TL-HonsemiMOSFET N-CH 40V 90A ATPAKATP30D60BAPT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที