ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BD681STU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BD681STU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BD681STU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 40 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 750 @ 1.5A, 3V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BD681 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BD681STU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BD681STU | BD680ASTU | BD681S | BD680G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126-3 | TO-126-3 | TO-126-3 | TO-126 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 750 @ 1.5A, 3V | 750 @ 2A, 3V | 750 @ 1.5A, 3V | 750 @ 1.5A, 3V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | 4 A | 4 A | 4 A |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | 80 V | 100 V | 80 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BD681 | - | BD681 | BD680 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | PNP - Darlington | NPN - Darlington | PNP - Darlington |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A | 2.8V @ 40mA, 2A | 2.5V @ 30mA, 1.5A | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500µA | 500µA | 500µA | 500µA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 40 W | 14 W | 40 W | 40 W |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BD681STU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BD681STU - onsemi
BD68610EFV-V2LAPIS TechnologyBD68610EFVLAPIS TechnologyBD681BD680ASTUFairchild SemiconductorTRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3BD682BD681SFairchild SemiconductorTRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3
BD68610EFV-E2Rohm SemiconductorIC MTR DRV BIPLR 19-28V 20HTSSOPBD680GonsemiTRANS PNP DARL 80V 4A TO126
BD680X(3961)STMicroelectronics
BD681SonsemiTRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3BD682STUFairchild SemiconductorPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10BD681STUFairchild SemiconductorTRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3BD6824PSTMicroelectronicsBD682GonsemiTRANS PNP DARL 100V 4A TO126BD680XSTMicroelectronicsBD682STUonsemiTRANS PNP DARL 100V 4A TO126-3BD681GonsemiTRANS NPN DARL 100V 4A TO126BD6861FSLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที