ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BD682G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BD682G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BD682G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Darlington | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 40 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 750 @ 1.5A, 3V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BD682 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BD682G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BD682G | BD682STU | BD681S | BD681STU |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 750 @ 1.5A, 3V | 750 @ 1.5A, 3V | 750 @ 1.5A, 3V | 750 @ 1.5A, 3V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A | 2.5V @ 30mA, 1.5A | 2.5V @ 30mA, 1.5A | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500µA | 500µA | 500µA | 500µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | TO-126-3 | TO-126-3 | TO-126-3 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | 4 A | 4 A | 4 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 40 W | 14 W | 40 W | 40 W |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Darlington | PNP - Darlington | NPN - Darlington | NPN - Darlington |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BD682 | - | - | BD681 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BD682G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BD682G - onsemi
BD68620EFV-E2Rohm SemiconductorIC MTR DRV BIPLR 19-28V 24HTSSOPBD6861FSLAPIS TechnologyBD6861FS-E2LAPIS Technology
BD6824PSTMicroelectronicsBD682STUFairchild SemiconductorPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10BD68610EFVLAPIS TechnologyBD681SonsemiTRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3
BD682BD681
BD68610EFV-E2Rohm SemiconductorIC MTR DRV BIPLR 19-28V 20HTSSOPBD68610EFV-V2LAPIS TechnologyBD681STUonsemiTRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3BD680X(3961)STMicroelectronicsBD682STUonsemiTRANS PNP DARL 100V 4A TO126-3BD6861FS-DE2LAPIS TechnologyBD681STUFairchild SemiconductorTRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3BD681SFairchild SemiconductorTRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3BD681GonsemiTRANS NPN DARL 100V 4A TO126| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที