ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BUH50G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BUH50G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BUH50G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 500 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 3A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 50 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 4MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 5 @ 2A, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BUH50 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BUH50G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BUH50G | BUH100 | MJE802 | BC858AMTF |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN - Darlington | PNP |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | 10 A | 4 A | 100 mA |
| ชุด | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -60°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA | 100µA | 100nA | 15nA (ICBO) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 3A | 750mV @ 1.5A, 7A | 3V @ 40mA, 4A | 650mV @ 5mA, 100mA |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 4MHz | 23MHz | - | 150MHz |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BUH50 | BUH10 | MJE802 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | SOT-32 | SOT-23-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 5 @ 2A, 5V | 10 @ 5A, 5V | 750 @ 1.5A, 3V | 110 @ 2mA, 5V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 500 V | 700 V | 80 V | 30 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 50 W | 100 W | 40 W | 310 mW |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BUH50G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BUH50G - onsemi
BUH100onsemiTRANS NPN 700V 10A TO220BUH517STMicroelectronicsBUH1215STMicroelectronicsMJE802STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 80V 4A SOT32BUH515DSTMicroelectronicsBUH1015H1STMicroelectronicsBC858AMTFFairchild SemiconductorTRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3BUH515STMicroelectronics
BUH51GonsemiTRANS NPN 500V 3A TO126STT13005DSTMicroelectronicsTRANS NPN 400V 2A SOT32-3
2STF2550STMicroelectronicsTRANS PNP 50V 5A SOT89-3KSP44BUFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,BUH2M20APSTMicroelectronics
2SD1620-TD-EonsemiTRANS NPN 10V 3A PCPBUH417DSTMicroelectronics2SC3446MonsemiPower Bipolar Transistor, 3A, 50FJAF4210YTUFairchild SemiconductorTRANS PNP 140V 10A TO3PF
2SD1286-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที