ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BUH51G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BUH51G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BUH51G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 500 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 1A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 50 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 23MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 8 @ 1A, 1V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BUH51 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BUH51G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BUH51G | BC858C_R1_00001 | BUH100 | BUH50G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Panjit International Inc. | onsemi | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BUH51 | BC858 | BUH10 | BUH50 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | 100 mA | 10 A | 4 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | SOT-23 | TO-220 | TO-220 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 8 @ 1A, 1V | 420 @ 2mA, 5V | 10 @ 5A, 5V | 5 @ 2A, 5V |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | PNP | NPN | NPN |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 23MHz | 200MHz | 23MHz | 4MHz |
| ชุด | SWITCHMODE™ | BC856 | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 500 V | 30 V | 700 V | 500 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -60°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 50 W | 330 mW | 100 W | 50 W |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA | 15nA (ICBO) | 100µA | 100µA |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 1A | 650mV @ 5mA, 100mA | 750mV @ 1.5A, 7A | 1V @ 1A, 3A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BUH51G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BUH51G - onsemi
BC858C_R1_00001Panjit International Inc.TRANS PNP 30V 0.1A SOT23BUH100onsemiTRANS NPN 700V 10A TO220
BUH417DSTMicroelectronicsBUH50GonsemiTRANS NPN 500V 4A TO220
TIP31ASTMicroelectronicsTRANS NPN 60V 3A TO220BUH1215STMicroelectronicsBUH515DSTMicroelectronicsBUH1015HISTMicroelectronicsBD439GonsemiTRANS NPN 60V 4A TO126
BCX70JE6327HTSA1Infineon TechnologiesTRANS NPN 45V 0.1A SOT23BUH515STMicroelectronics
MJD127onsemiTRANS DARL PNP 8A 100V DPAKBUH2M20APSTMicroelectronics
ZXTN2010ADiodes IncorporatedTRANS NPN 60V 4.5A E-LINEBUH517DSTMicroelectronicsBUH517STMicroelectronics
NSV60601MZ4T3GonsemiTRANS NPN 60V 6A SOT223BUH1015H1STMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที