ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DBD10G-TM-E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - DBD10G-TM-E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - DBD10G-TM-E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 500 mA | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DBD1 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi DBD10G-TM-E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DBD10G-TM-E | KBL401 | VUO18-14DT8 | DBLS159G |
| ผู้ผลิต | onsemi | EIC SEMICONDUCTOR INC. | IXYS | Taiwan Semiconductor Corporation |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DBD1 | - | VUO18 | DBLS159 |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Three Phase | Single Phase |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 500 mA | 1.1 V @ 4 A | 1.85 V @ 55 A | 1.25 V @ 1.5 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 100 V | 300 µA @ 1400 V | 2 µA @ 1400 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing | 4-SIP, KBL | 5-Square, FO-B | 4-SMD, Gull Wing |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 100 V | 1.4 kV | 1.4 kV |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1 A | 4 A | 18 A | 1.5 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | KBL | FO-B | DBLS |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bag | Box | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | QC Terminal | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DBD10G-TM-E PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ DBD10G-TM-E - onsemi
KBL401EIC SEMICONDUCTOR INC.STD 4A, CASE TYPE: KBLVUO18-14DT8IXYSBRIDGE RECT 3P 1.4KV 18A FO-BDBLS159GTaiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS
MB4S-E3/80Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 400V TO269AA
RM75TPM-HPowerex Inc.BRIDGE RECT 3P 800V 150A MODULE
DF60LB80SanRex CorporationDIODE MODULE 800V 60A
LMB110S-TPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 100V 1A LMBS-1
GBPC2504Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBPCDBLS107GTaiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
DBDD400S33K2C20Eupec (Infineon)IGBT ModuleDBDF300R12KE330Eupec (Infineon)IGBT Module
KBPC610Diotec Semiconductor1PH BRIDGE KBPC 1000V 6A
TS25P05GTaiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1P 600V 25A TS-6P
KBP204GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
GBJ1510MDDRECTIFIER BRIDGE 15A 1000V GBJ
GBPC3506WSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W
GBU1506LHY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE
GBU404SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBU| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที