ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EFC4630R-TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - EFC4630R-TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - EFC4630R-TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.3V @ 1mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EFCP1313-4CC-037 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.6W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-XFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 24V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Ta) | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EFC4630 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi EFC4630R-TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EFC4630R-TR | EFC4C002NLTDG | EFC4621R-TR | EFC6602R-A-TR |
| ผู้ผลิต | onsemi | Texas Instruments | onsemi | onsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-XFBGA | 8-XFBGA, WLCSP | 4-XFBGA, FCBGA | 6-XFBGA, FCBGA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EFCP1313-4CC-037 | 8-WLCSP (6x2.5) | EFCP1616-4CE-022 | EFCP2718-6CE-020 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | 6200pF @ 15V | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.3V @ 1mA | 2.2V @ 1mA | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.6W | 2.6W | 1.6W | 2W |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7nC @ 4.5V | 45nC @ 4.5V | 29nC @ 4.5V | 55nC @ 4.5V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EFC4630 | EFC4C002 | EFC4621 | EFC6602 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 24V | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3A, 4.5V | - | - | - |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Ta) | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EFC4630R-TR PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ EFC4630R-TR - onsemi
EFC4C012NLTDGONsemiEFC4C002NLTDGTexas InstrumentsPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOREFC4624R-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC4621RAMI Semiconductor/onsemiEFC4621R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6602R-A-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6601R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC4626R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4EFC4623R-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC4626RONsemiEFC6604R-TFAMI Semiconductor/onsemi
EFC4C002NLTDGFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOREFC4622R-W-NAMI Semiconductor/onsemiEFC6301-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC4C002NLTDGonsemiMOSFET 2N-CH 8WLCSPEFC4627R-A-TRonsemiMOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4EFC4619R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6602R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที