ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EFC6602R-A-TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - EFC6602R-A-TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - EFC6602R-A-TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EFCP2718-6CE-020 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-XFBGA, FCBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 55nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EFC6602 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi EFC6602R-A-TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EFC6602R-A-TR | EFC6605R-TR | EFC6602R-TR | EFC6601R-TR |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 55nC @ 4.5V | 19.8nC @ 4.5V | 55nC @ 4.5V | 48nC @ 4.5V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | 1.6W | 2W | 2W |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EFC6602 | EFC6605 | EFC6602 | EFC6601 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | EFCP2718-6CE-020 | 6-EFCP (1.9x1.46) | EFCP2718-6CE-020 | EFCP2718-6CE-020 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-XFBGA, FCBGA | 6-SMD, No Lead | 6-XFBGA, FCBGA | 6-XFBGA, FCBGA |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EFC6602R-A-TR PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ EFC6602R-A-TR - onsemi
EFC6605R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 6EFCPEFC6602R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6601R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6605R-V-TRonsemiMOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA
EFC4C002NLTDGFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOREFC4624R-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC4627R-A-TRonsemiMOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4EFC6604R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 6EFCPEFC6607RAMI Semiconductor/onsemiEFC6606R-TRAMI Semiconductor/onsemi
EFC4C002NLTDGTexas InstrumentsPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOREFC4623R-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC6611R-A-TFonsemiMOSFET 2N-CH 12V 27A EFCPEFC6301-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC4626R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4EFC6611R-AAMI Semiconductor/onsemiEFC4630R-TRonsemiINTEGRATED CIRCUITEFC4C002NLTDGonsemiMOSFET 2N-CH 8WLCSP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที