ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EFC6604R-TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - EFC6604R-TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - EFC6604R-TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-EFCP (1.9x1.46) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.6W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-XFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EFC6604 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi EFC6604R-TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EFC6604R-TR | EFC4C002NLTDG | EFC6601R-TR | EFC4630R-TR |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | 6200pF @ 15V | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | - | - | 24V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | - | - | 45mOhm @ 3A, 4.5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.6W | 2.6W | 2W | 1.6W |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EFC6604 | EFC4C002 | EFC6601 | EFC4630 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 2.2V @ 1mA | - | 1.3V @ 1mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29nC @ 4.5V | 45nC @ 4.5V | 48nC @ 4.5V | 7nC @ 4.5V |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-XFBGA | 8-XFBGA, WLCSP | 6-XFBGA, FCBGA | 4-XFBGA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-EFCP (1.9x1.46) | 8-WLCSP (6x2.5) | EFCP2718-6CE-020 | EFCP1313-4CC-037 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | - | - | 6A (Ta) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EFC6604R-TR PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ EFC6604R-TR - onsemi
EFC4C002NLTDGonsemiMOSFET 2N-CH 8WLCSPEFC6601R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC4630R-TRonsemiINTEGRATED CIRCUITEFC6605R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 6EFCPEFC6607RAMI Semiconductor/onsemiEFC6611R-AAMI Semiconductor/onsemiEFC4627R-A-TRonsemiMOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
EFC4C002NLTDGTexas InstrumentsPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOREFC6605R-V-TRonsemiMOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGAEFC6301-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC6611R-TFonsemiMOSFET 2N-CH 12V 27A EFCPEFC6612R-AAMI Semiconductor/onsemiEFC6611R-A-TFonsemiMOSFET 2N-CH 12V 27A EFCPEFC6602R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6602R-A-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6606R-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC6612R-A-TFonsemiMOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
EFC4C002NLTDGFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที