ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EGP30D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - EGP30D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - EGP30D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 95pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EGP30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi EGP30D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EGP30D | EGP20G | EGP30G | EGP20G-E3/54 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 3 A | 1.25 V @ 2 A | 1.25 V @ 3 A | 1.25 V @ 2 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 2A | 3A | 2A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | DO-15 | DO-201AD | DO-204AC (DO-15) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 95pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz | 75pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| ชุด | - | - | - | SUPERECTIFIER® |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EGP30 | EGP20 | - | EGP20 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-201AD, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EGP30D PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ EGP30D - onsemi
EGP20GonsemiDIODE GEN PURP 400V 2A DO15
EGP20G-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
EGP30DL-6085GSEGP50DElectro-Films (EFI) / VishayEGP30GFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 3A, 400V, DO-20EGP20G-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
EGP30JonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADEGP20JFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 2A DO15
EGP26-13AFujitsu Electronics America, Inc.IGBT Module
EGP50C-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 5A GP20EGP30CFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 150V 3A DO201ADEGP20G-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 2A DO204ACEGP20JonsemiDIODE GEN PURP 600V 2A DO15EGP30ConsemiDIODE GEN PURP 150V 3A DO201ADEGP30DL-6486GSEGP30G-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A GP20EGP30GonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A DO201ADEGP30G T/BZOWIE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที