ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDC6310P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDC6310P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDC6310P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.2A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 700mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 337pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.2nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.2A | |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC6310 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDC6310P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDC6310P | FDC6308P | FDC6318P | FDC6310P |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 337pF @ 10V | 265pF @ 10V | 455pF @ 6V | 337pF @ 10V |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | 20V | 12V | 20V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.2nC @ 4.5V | 5nC @ 4.5V | 8nC @ 4.5V | 5.2nC @ 4.5V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.2A, 4.5V | 180mOhm @ 1.7A, 4.5V | 90mOhm @ 2.5A, 4.5V | 125mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 700mW | 700mW (Ta) | 700mW | 700mW |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC6310 | FDC6308 | FDC6318 | FDC6310 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.2A | 1.7A (Ta) | 2.5A | 2.2A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDC6310P PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDC6310P - onsemi
FDC6312/RCR1591SLFAIRCHILD/RCRFDC6312MIFDC6308PFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFETFDC6318PonsemiMOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6FDC6310PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC6306P MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC6308AMI Semiconductor/onsemiFDC6310P MOSFairchild (onsemi)FDC6306MIFDC6305N-NLFairchild (onsemi)FDC6318P MOSFairchild (onsemi)FDC6312PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6FDC6306C/RCR1591SLFAIRCHILD/RCRFDC6312P-NLFairchild (onsemi)FDC6306P-NLFairchild (onsemi)FDC6306PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6FDC6312P MOSFairchild (onsemi)FDC6312CFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที