ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDN342P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDN342P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDN342P
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 500mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 635 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDN342 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDN342P
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDN342P | FDN340P | FDN342P | FDN3401 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 4.5V | 70mOhm @ 2A, 4.5V | 80mOhm @ 2A, 4.5V | - |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDN342 | FDN340 | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | - |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | ±8V | ±12V | - |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | * |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 635 pF @ 10 V | 779 pF @ 10 V | 635 pF @ 10 V | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) | 2A (Ta) | 2A (Ta) | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDN342P PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDN342P - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที