ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDN340P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ UMW - FDN340P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ UMW - FDN340P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | UMW | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | |
| ชุด | UMW | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.1W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 600 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ UMW FDN340P
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDN340P | FDN339AN | FDN3401 | FDN342P |
| ผู้ผลิต | UMW | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | - | 1.5V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | SOT-23-3 | - | SOT-23-3 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | - | 20 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | - | 2.5V, 4.5V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) | 3A (Ta) | - | 2A (Ta) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.1W (Ta) | 500mW (Ta) | - | 500mW (Ta) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | - | P-Channel |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 4.5V | 35mOhm @ 3A, 4.5V | - | 80mOhm @ 2A, 4.5V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 600 pF @ 10 V | 700 pF @ 10 V | - | 635 pF @ 10 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±8V | - | ±12V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | UMW | PowerTrench® | * | PowerTrench® |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | - | 9 nC @ 4.5 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDN340P PDF และเอกสาร UMW สำหรับ FDN340P - UMW
FDN340AFairchild (onsemi)
FDN340P-NLGC ElectronicsFDN339AN-NLFairchild (onsemi)FDN339NMIFDN339ANFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDN3401Fairchild SemiconductorFDN3401FDN342PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDN342P MOSFairchild (onsemi)FDN342P-NLFairchild (onsemi)FDN340PZFairchild (onsemi)FDN340P MOSFairchild (onsemi)FDN340PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDN339AN MOSFairchild (onsemi)
FDN340PonsemiMOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3FDN3400Fairchild (onsemi)FDN339Fairchild (onsemi)FDN342PonsemiMOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3FDN339ANonsemiMOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที