ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDZ375P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDZ375P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDZ375P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-WLCSP (1x1) | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 2A, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.7W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-XFBGA, WLCSP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 865 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.7A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDZ37 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDZ375P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDZ375P | FDZ299P | FDZ5047N | FDZ595PZ |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.7W (Ta) | 1.7W (Ta) | 2.8W (Ta) | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V | 73 nC @ 5 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | * |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDZ37 | FDZ29 | FDZ50 | FDZ59 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.7A (Ta) | 4.6A (Ta) | 22A (Ta) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-WLCSP (1x1) | 9-BGA (2x2.1) | 36-BGA (5x5.5) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-XFBGA, WLCSP | 9-WFBGA | 36-VFBGA | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 30 V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 2A, 4.5V | 55mOhm @ 4.6A, 4.5V | 2.9mOhm @ 22A, 10V | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±12V | ±20V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 865 pF @ 10 V | 742 pF @ 10 V | 4993 pF @ 15 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDZ375P PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDZ375P - onsemi
FDZ299PonsemiMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGAFDZ5047NonsemiMOSFET N-CH 30V 22A 36BGA
FDZ299P MOSFairchild (onsemi)FDZ595PZonsemiINTEGRATED CIRCUITFDZ375P MOSFairchild (onsemi)FDZ595PZFairchild SemiconductorFDZ595PZFDZ372NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 4.7A 4WLCSPFDZ451PZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDZ375PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSPFDZ3N513ZT MOSFairchild (onsemi)FDZ295P MOSFairchild (onsemi)FDZ298NonsemiMOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
FDZ501IPSFDZ371PZonsemiMOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSPFDZ501DKEFANFDZ299PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGAFDZ298N MOSFairchild (onsemi)FDZ5.6EVFIRST| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที