ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDZ375P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FDZ375P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FDZ375P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-WLCSP (1x1) | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 2A, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.7W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-XFBGA, WLCSP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 865 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.7A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FDZ375P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDZ375P | FDZ595PZ | FDZ372NZ | FDZ451PZ |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-XFBGA, WLCSP | - | 4-XFBGA, WLCSP | 4-XFBGA, WLCSP |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-WLCSP (1x1) | - | 4-WLCSP (1x1) | 4-WLCSP (0.8x0.8) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.7W (Ta) | - | 1.7W (Ta) | 400mW (Ta) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 865 pF @ 10 V | - | 685 pF @ 10 V | 555 pF @ 10 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 2A, 4.5V | - | 50mOhm @ 2A, 4.5V | 140mOhm @ 2A, 4.5V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | - | 1V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.7A (Ta) | - | 4.7A (Ta) | 2.6A (Ta) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ชุด | PowerTrench® | * | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | - | 9.8 nC @ 4.5 V | 8.8 nC @ 4.5 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | - | - | 1.5V, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | - | 20 V | 20 V |
| ประเภท FET | P-Channel | - | N-Channel | P-Channel |
| Vgs (สูงสุด) | ±8V | - | - | ±8V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
FDZ595PZFairchild SemiconductorFDZ595PZFDZ501IPSFDZ372NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 4.7A 4WLCSPFDZ295PFairchild (onsemi)FDZ298N MOSFairchild (onsemi)FDZ451PZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDZ298NonsemiMOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
FDZ375PonsemiMOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSPFDZ299P MOSFairchild (onsemi)FDZ3N513ZT MOSFairchild (onsemi)FDZ371PZonsemiMOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSPFDZ299PonsemiMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGAFDZ375P MOSFairchild (onsemi)FDZ501DKEFANFDZ5047NonsemiMOSFET N-CH 30V 22A 36BGAFDZ295P MOSFairchild (onsemi)FDZ5.6EVFIRSTFDZ299PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที