ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FFSP1065A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FFSP1065A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FFSP1065A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.75 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2L | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 650 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 575pF @ 1V, 100kHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FFSP1065 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FFSP1065A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FFSP1065A | FFSP1665A | FFSP1065B | FFSP20120A |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2L | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220AC |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 16A | 11A | 20A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 650 V | 1200 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FFSP1065 | FFSP1665 | FFSP1065 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.75 V @ 10 A | 1.75 V @ 16 A | 1.7 V @ 10 A | 1.75 V @ 20 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 575pF @ 1V, 100kHz | 887pF @ 1V, 100kHz | 421pF @ 1V, 100kHz | 1220pF @ 1V, 100KHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 650 V | 200 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V | 200 µA @ 1200 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FFSP1065A PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FFSP1065A - onsemi
FFSP1665AonsemiDIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2FFSP1065BonsemiDIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2FFSH20120ADNAMI Semiconductor/onsemi
FFSD-09-01-NSamtec Inc.CONN RCPT 18POS IDC 30AWG GOLDFFSH40120ADNAMI Semiconductor/onsemiFFSP20120AFairchild SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2V 20A TO220ACFFSH2065BDN-F085onsemi650V 20A SIC SBD GEN1.5FFSH20120ADN-F155onsemiDIODE SIC 1200V 10A TO247
FFSD1065AonsemiDIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAKFFSP10120AonsemiDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220LFFSH4065BDNAMI Semiconductor/onsemiFFSH20120AonsemiDIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2
FFSD10120AonsemiDIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO252AA
FFSD-13-D-12.00-01-NSamtec Inc.CABLE ASSEM .05" 26POS 12"
FFSD-05-D-10.00-01-NSamtec Inc..050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSEFFSH20120ADN-F155Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA
FFSD-25-D-03.00-01-NSamtec Inc..050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSYFFSP20120AonsemiDIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220L| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที