ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FFSP20120A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FFSP20120A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FFSP20120A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.75 V @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 1220pF @ 1V, 100KHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FFSP20120A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FFSP20120A | FFSP10120A | FFSP1665A | FFSD10120A |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | - | 0 ns | 0 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.75 V @ 20 A | 1.75 V @ 10 A | 1.75 V @ 16 A | 1.75 V @ 10 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 1220pF @ 1V, 100KHz | 612pF @ 1V, 100kHz | 887pF @ 1V, 100kHz | 612pF @ 1V, 100kHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220-2L | TO-220-2 | TO-252AA |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 1200 V | 200 µA @ 1200 V | 200 µA @ 650 V | 200 µA @ 1200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 10A | 16A | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 650 V | 1200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
FFSP10120AonsemiDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220LFFSP1665AonsemiDIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2FFSD10120AonsemiDIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO252AA
FFSD-13-D-12.00-01-NSamtec Inc.CABLE ASSEM .05" 26POS 12"FFSH4065BDNAMI Semiconductor/onsemi
FFSD-25-D-03.00-01-NSamtec Inc..050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSYFFSP20120AonsemiDIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220LFFSH20120ADNAMI Semiconductor/onsemi
FFSD-09-01-NSamtec Inc.CONN RCPT 18POS IDC 30AWG GOLD
FFSD1065AonsemiDIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAKFFSP1065AonsemiDIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2LFFSH20120ADN-F155onsemiDIODE SIC 1200V 10A TO247FFSH2065BDN-F085onsemi650V 20A SIC SBD GEN1.5FFSH40120ADNAMI Semiconductor/onsemiFFSH20120AonsemiDIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2FFSP1065BonsemiDIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2
FFSD-05-D-10.00-01-NSamtec Inc..050 X .050 C.L. FEMALE IDC ASSE
FFSH20120ADN-F155Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที