ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGA30S120P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGA30S120P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGA30S120P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1300 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.3V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 348 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 78 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA30S120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGA30S120P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGA30S120P | FGA30S120P | FGA30T65SHD | FGA40T65SHD |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ชุด | - | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.3V @ 15V, 30A | 2.3V @ 15V, 30A | 2.1V @ 15V, 30A | 2.1V @ 15V, 40A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | - | 14.4ns/52.8ns | 19.2ns/65.6ns |
| ทดสอบสภาพ | - | - | 400V, 30A, 6Ohm, 15V | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 78 nC | 78 nC | 54.7 nC | 72.2 nC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 348 W | 348 W | 238 W | 268 W |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1300 V | 1300 V | 650 V | 650 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA30S120 | FGA30S120 | FGA30T65 | FGA40T65 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | 60 A | 60 A | 80 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การสลับพลังงาน | - | - | 598µJ (on), 167µJ (off) | 1.01mJ (on), 297µJ (off) |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | 150 A | 90 A | 120 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGA30S120P PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGA30S120P - onsemi
FGA30S120PFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N60LSDFairchild (onsemi)FGA30T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PNFGA40T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PNFGA30N60RUFDFairchild (onsemi)
FGA40N65SMDonsemiIGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PNFGA40N60UFDTUFairchild SemiconductorIGBT, 40A, 600V, N-CHANNELFGA30N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 60A 339W TO3PFGA30N60LSDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA40N60UFDFSCFGA30N60LSDTUonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PFGA30N120FTDFairchild (onsemi)FGA30N65SMDonsemiIGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PNFGA30N65SMDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA40N60UFDTUonsemiIGBT 600V 40A 160W TO3PFGA4060ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N60RUFFairchild (onsemi)FGA4060ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 80A TO3PN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที