ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGA30N60LSDTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FGA30N60LSDTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FGA30N60LSDTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.4V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 18ns/250ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.1mJ (on), 21mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 480 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 225 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 90 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA30N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FGA30N60LSDTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGA30N60LSDTU | FGA30N120FTDTU | FGA25S125P | FGA30N65SMD |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 730 ns | - | 35 ns |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 18ns/250ns | - | - | 14ns/102ns |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | 60 A | 50 A | 60 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.4V @ 15V, 30A | 2V @ 15V, 30A | 2.35V @ 15V, 25A | 2.5V @ 15V, 30A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1200 V | 1250 V | 650 V |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 225 nC | 208 nC | 204 nC | 87 nC |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Field Stop |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V | - | - | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 90 A | 90 A | 75 A | 90 A |
| การสลับพลังงาน | 1.1mJ (on), 21mJ (off) | - | - | 716µJ (on), 208µJ (off) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA30N60 | FGA30N120 | FGA25S125 | FGA30N65 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 480 W | 339 W | 250 W | 300 W |
FGA30N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 60A 339W TO3PFGA30N60LSDFairchild (onsemi)FGA25S125PFairchild SemiconductorIGBT, 50A, 1250V, N-CHANNELFGA30N65SMDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N120FTDFairchild (onsemi)
FGA30N65SMDonsemiIGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PNFGA3060ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PNFGA30N60RUFDFairchild (onsemi)FGA25T120SDBFSCFGA30N60RUFFairchild (onsemi)FGA3060FGA30T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PNFGA4060ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30S120PonsemiIGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PNFGA3065ADFFCSFGA30S120PFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N60LSDTUonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PFGA4060ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 80A TO3PN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที