ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGA50S110P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGA50S110P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGA50S110P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1100 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 50A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 300 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 195 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 120 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 50 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA50S110 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGA50S110P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGA50S110P | FGA50N100BNTD2 | FGA50T65SHD | FGA50S110P |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 195 nC | 257 nC | 87 nC | 195 nC |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | TO-3P | TO-3PN | TO-3PN |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | 34ns/243ns | 22.4ns/73.6ns | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 50A | 2.9V @ 15V, 60A | 2.1V @ 15V, 50A | 2.6V @ 15V, 50A |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | NPT and Trench | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| ทดสอบสภาพ | - | 600V, 60A, 10Ohm, 15V | 400V, 50A, 6Ohm, 15V | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1100 V | 1000 V | 650 V | 1100 V |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 120 A | 200 A | 150 A | 120 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA50S110 | FGA50N100 | FGA50T65 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 50 A | 50 A | 100 A | 50 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 300 W | 156 W | 319 W | 300 W |
| การสลับพลังงาน | - | - | 1.28mJ (on), 384µJ (off) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGA50S110P PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGA50S110P - onsemi
FGA50N100BNTD2onsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA50T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PNFGA50N120ANDFairchild (onsemi)FGA50S110PFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA50N100BNTFairchild (onsemi)FGA6065ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA50N100BNTDTUonsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA50N100FAIRCHILFGA50T65SHDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA50T65Electro-Films (EFI) / VishayFGA50N100BNTTUFairchild SemiconductorIGBT, 50A, 1000V, N-CHANNELFGA6060ADFFairchild (onsemi)FGA60N60UFDFairchild (onsemi)FGA50N60LSonsemiIGBT 600V 100A 240W TO3PFGA6065ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PNFGA50N100BNTTUonsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA60N60UFDTUonsemiIGBT 600V 120A 298W TO3PFGA50N100BNTDFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที