ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGA50N100BNTTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FGA50N100BNTTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FGA50N100BNTTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1000 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.9V @ 15V, 60A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 60A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 34ns/243ns | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 156 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT and Trench | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 257 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 200 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 50 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGA50N100BNTTU | FGA50S110P | FGA50N60LS | FGA5065ADF |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 34ns/243ns | - | 54ns/146ns | 20.8ns/62.4ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 50 A | 50 A | 100 A | 100 A |
| ประเภท IGBT | NPT and Trench | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 200 A | 120 A | 150 A | 150 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 60A, 10Ohm, 15V | - | 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V | 400V, 50A, 6Ohm, 15V |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1000 V | 1100 V | 600 V | 650 V |
| การสลับพลังงาน | - | - | 1.1mJ (on), 3.2mJ (off) | 1.35mJ (on), 309µJ (off) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 156 W | 300 W | 240 W | 268 W |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3PN | TO-3P | TO-3PN |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 257 nC | 195 nC | 167 nC | 72.2 nC |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.9V @ 15V, 60A | 2.6V @ 15V, 50A | 1.8V @ 15V, 50A | 2.2V @ 15V, 50A |
FGA50S110PFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA50N60LSonsemiIGBT 600V 100A 240W TO3PFGA50N100BNTFairchild (onsemi)FGA5065ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PNFGA50N100BNTTUonsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA40T65SHDFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PNFGA50N100BNTDTUonsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA6060ADFFairchild (onsemi)FGA40T65UQDFonsemiIGBT NPT 650V 80A TO3PNFGA5065ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA50N100BNTD2onsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA50T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PNFGA50S110PonsemiIGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN
FGA50T65Electro-Films (EFI) / VishayFGA50T65SHDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA50N100BNTDFairchild (onsemi)FGA50N100FAIRCHILFGA40T65UQDFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที