ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGD3440G2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGD3440G2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGD3440G2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 400 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.2V @ 4V, 6A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | -/5.3µs | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
| ชุด | EcoSPARK® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 166 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | Logic | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 24 nC | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 26.9 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGD3 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGD3440G2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGD3440G2 | FGD3N60LSDTM | FGD5T120SH | FGD3N60LSDTM |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | -/5.3µs | 40ns/600ns | 4.8ns/24.8ns | 40ns/600ns |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 24 nC | 12.5 nC | 6.7 nC | 12.5 nC |
| ชุด | EcoSPARK® | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.2V @ 4V, 6A | 1.5V @ 10V, 3A | 3.6V @ 15V, 5A | 1.5V @ 10V, 3A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 26.9 A | 6 A | 10 A | 6 A |
| ประเภทขาเข้า | Logic | Standard | Standard | Standard |
| การสลับพลังงาน | - | 250µJ (on), 1mJ (off) | 247µJ (on), 94µJ (off) | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGD3 | FGD3N60 | FGD5T120 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 400 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 166 W | 40 W | 69 W | 40 W |
| ประเภท IGBT | - | - | Trench Field Stop | - |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V | 480V, 3A, 470Ohm, 10V | 600V, 5A, 30Ohm, 15V | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGD3440G2 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGD3440G2 - onsemi
FGD3440G2-F085ONsemiFGD3N60LSDFairchild (onsemi)FGD3040G2-F085VONsemiFGD3245G2_F085Fairchild (onsemi)FGD3245G2-F085ONsemiFGD3N60LSDTMonsemiIGBT 600V 6A 40W DPAKFGD5T120SHonsemiIGBT 1200V 5A FS3 DPAKFGD3N60LSDTMFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGD3N60UNDFonsemiIGBT 600V 6A 60W DPAKFGD3245G2-F085CONsemiFGD3040G2_F085Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGD3N60LSD MOSFairchild (onsemi)FGD3440G2Fairchild SemiconductorIGBT 26.9A, 450V, N CHANNEL, DPAFGD3245G2Fairchild SemiconductorIGBT 23A, 440V, N CHANNELFGD4536TMAMI Semiconductor / ON SemiconductorIGBT 360V 125W DPAKFGD3325G2-F085ONsemiFGD3040G2-SN00353AMI Semiconductor/onsemiFGD4536Fairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที