ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGD5T120SH
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGD5T120SH คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGD5T120SH
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.6V @ 15V, 5A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 5A, 30Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 4.8ns/24.8ns | |
| การสลับพลังงาน | 247µJ (on), 94µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 69 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 6.7 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 12.5 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 10 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGD5T120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGD5T120SH
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGD5T120SH | FGD3N60UNDF | FGD4536TM | FGD3440G2 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.6V @ 15V, 5A | 2.52V @ 15V, 3A | 1.8V @ 15V, 50A | 1.2V @ 4V, 6A |
| การสลับพลังงาน | 247µJ (on), 94µJ (off) | 52µJ (on), 30µJ (off) | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 10 A | 6 A | - | 26.9 A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Logic |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 12.5 A | 9 A | 220A | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGD5T120 | FGD3N60 | - | FGD3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 5A, 30Ohm, 15V | 400V, 3A, 10Ohm, 15V | - | 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 69 W | 60 W | 125W | 166 W |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 4.8ns/24.8ns | 5.5ns/22ns | - | -/5.3µs |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 6.7 nC | 1.6 nC | 47nC | 24 nC |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 360V | 400 V |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | NPT | Trench | - |
| ชุด | - | - | - | EcoSPARK® |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGD5T120SH PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGD5T120SH - onsemi
FGD3N60UNDFonsemiIGBT 600V 6A 60W DPAKFGD3440G2-F085ONsemi
FGD3245G2_F085Fairchild (onsemi)FGD4536TMAMI Semiconductor / ON SemiconductorIGBT 360V 125W DPAKFGD3245G2-F085ONsemiFGD3440G2onsemiIGBT 400V 26.9A 166W DPAKFGD3440G2Fairchild SemiconductorIGBT 26.9A, 450V, N CHANNEL, DPAFGD3N60LSDTMonsemiIGBT 600V 6A 40W DPAKFGD3245G2Fairchild SemiconductorIGBT 23A, 440V, N CHANNELFGD3325G2-F085ONsemiFGD4536Fairchild (onsemi)FGD3N60LSD MOSFairchild (onsemi)FGD3N60LSDTMFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGD3245G2-F085CONsemiFGD3040G2-F085VONsemiFGD3040G2_F085Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGD3040G2-SN00353AMI Semiconductor/onsemiFGD3N60LSDFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที