ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH40N6S2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGH40N6S2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGH40N6S2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 20A | |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 8ns/35ns | |
| การสลับพลังงาน | 115µJ (on), 195µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 35 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 180 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGH40N6S2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH40N6S2 | FGH40N60SMDF | FGH40T120SMDL4 | FGH40T120SMD |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การสลับพลังงาน | 115µJ (on), 195µJ (off) | 1.3mJ (on), 260µJ (off) | 2.24mJ (on), 1.02mJ (off) | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 20A | 2.5V @ 15V, 40A | 2.4V @ 15V, 40A | 2.4V @ 15V, 40A |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 8ns/35ns | 12ns/92ns | 44ns/464ns | 40ns/475ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247-3 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 35 nC | 119 nC | 370 nC | 370 nC |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | 80 A | 80 A | 80 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 180 A | 120 A | 160 A | 160 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 400V, 40A, 6Ohm, 15V | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247-3 |
| ประเภท IGBT | - | Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1200 V | 1200 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH40 | FGH40N60 | - | FGH40 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W | 349 W | 555 W | 555 W |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGH40N6S2 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGH40N6S2 - onsemi
FGH40T100FairchiFGH40N60SMDFonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3FGH40T120SMDL4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH40T120SMDonsemiIGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3FGH40N60UFDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH40T120SMD-F155onsemiIGBT 1200V 80A 555W TO247-3FGH40N65UFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3FGH40N65UFDFairchild (onsemi)FGH40N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH40T100SMDonsemiIGBT 1000V 80A 333W TO247-3FGH40N60UFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3FGH40T120FDSFGH40N65Fairchild (onsemi)FGH40N60UFAMI Semiconductor/onsemiFGH40N6S2DonsemiIGBT 600V 75A 290W TO247FGH40T120SMFairchild (onsemi)FGH40N60UFDFairchild (onsemi)FGH40T120SMDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที