ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH40T120SMD
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FGH40T120SMD คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FGH40T120SMD
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 40A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 40ns/475ns | |
| การสลับพลังงาน | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 65 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 555 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 370 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 80 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH40T120SMD | FGH40N6S2D | FGH40T120SMD-F155 | FGH40T100SMD |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 65 ns | 48 ns | 65 ns | 78 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 1200 V | 1000 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การสลับพลังงาน | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) | 115µJ (on), 195µJ (off) | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) | 2.35mJ (on), 1.15mJ (off) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 555 W | 290 W | 555 W | 333 W |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 40ns/475ns | 8ns/35ns | 40ns/475ns | 29ns/285ns |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | 180 A | 160 A | 120 A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 80 A | 75 A | 80 A | 80 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 370 nC | 35 nC | 370 nC | 265 nC |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 40A | 2.7V @ 15V, 20A | 2.4V @ 15V, 40A | 2.3V @ 15V, 40A |
FGH40T100FairchiFGH40N6S2DonsemiIGBT 600V 75A 290W TO247FGH40T120SMD-F155onsemiIGBT 1200V 80A 555W TO247-3FGH40T100SMDonsemiIGBT 1000V 80A 333W TO247-3FGH40N6S2onsemiIGBT 600V 75A 290W TO247
FGH40T120SMDL4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH40T65SHDFairchild SemiconductorIGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24FGH40T120SMFairchild (onsemi)FGH40T65Fairchild (onsemi)FGH40T65SHD-F155Fairchild SemiconductorIGBT, 80A, 650V, N-CHANNEL, TO-2FGH40T120SQDNL4ONsemiFGH40T120SMDonsemiIGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3FGH40N65UFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3FGH40T65SHFairchild SemiconductorIGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24FGH40T120FDSFGH40N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH40T120SMDL4onsemiIGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247FGH40T60UPDFFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที