ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH60N6S2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGH60N6S2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGH60N6S2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 40A | |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 40A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 18ns/70ns | |
| การสลับพลังงาน | 400µJ (on), 310µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 140 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 320 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGH60N6S2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH60N6S2 | FGH60N60SFTU | FGH50T65UPD | FGH75N60UFTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH60 | FGH60 | - | FGH75 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 W | 378 W | 340 W | 452 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 320 A | 180 A | 150 A | 225 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | 120 A | 100 A | 150 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 40A, 3Ohm, 15V | 400V, 60A, 5Ohm, 15V | 400V, 50A, 6Ohm, 15V | 400V, 75A, 3Ohm, 15V |
| การสลับพลังงาน | 400µJ (on), 310µJ (off) | 1.79mJ (on), 670µJ (off) | 2.7mJ (on), 740µJ (off) | 3.05mJ (on), 1.35mJ (off) |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 140 nC | 198 nC | 230 nC | 250 nC |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 18ns/70ns | 22ns/134ns | 32ns/160ns | 27ns/128ns |
| ประเภท IGBT | - | Field Stop | Trench Field Stop | Field Stop |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 650 V | 600 V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 40A | 2.9V @ 15V, 60A | 2.3V @ 15V, 50A | 2.4V @ 15V, 75A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGH60N6S2 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGH60N6S2 - onsemi
FGH60N60SFTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH60N60FDSFGH50T65UPDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH75N60UFTUonsemiIGBT 600V 150A 452W TO247FGH60N60UFDTUonsemiIGBT 600V 120A 298W TO247FGH75T60UDFairchild (onsemi)FGH75N60SFTUFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH60N60SFDFairchild (onsemi)FGH60T65SHDFairchild (onsemi)FGH75N60UFFairchild (onsemi)FGH60N60UFDFairchild (onsemi)FGH60N60SMDonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH60T65SHD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH60N60SFFairchild (onsemi)FGH60T65SQD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3FGH60N60SFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH75T65SHDAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที