ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH50T65UPD
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FGH50T65UPD คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FGH50T65UPD
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.3V @ 15V, 50A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 50A, 6Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 32ns/160ns | |
| การสลับพลังงาน | 2.7mJ (on), 740µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 53 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 340 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 230 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FGH50T65UPD
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH50T65UPD | FGH50N6S2 | FGH50T65SQD-F155 | FGH50N3 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | 600 V | 650 V | 300 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 340 W | 463 W | 268 W | 463 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 A | 75 A | 100 A | 75 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 53 ns | - | 31 ns | - |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop | PT |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 32ns/160ns | 13ns/55ns | 22ns/105ns | 20ns/135ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 50A, 6Ohm, 15V | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V | 180V, 30A, 5Ohm, 15V |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | 240 A | 200 A | 240 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 230 nC | 70 nC | 99 nC | 180 nC |
| ชุด | - | - | - | - |
| การสลับพลังงาน | 2.7mJ (on), 740µJ (off) | 260µJ (on), 250µJ (off) | 180µJ (on), 45µJ (off) | 130µJ (on), 92µJ (off) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.3V @ 15V, 50A | 2.7V @ 15V, 30A | 2.1V @ 15V, 50A | 1.4V @ 15V, 30A |
FGH50N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH50T65SQD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3FGH60N60SFFairchild (onsemi)FGH50N3onsemiIGBT PT 300V 75A TO247-3FGH60N60SMDonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH60N60UFDTUonsemiIGBT 600V 120A 298W TO247FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH50N6S2onsemiIGBT 600V 75A 463W TO247FGH50N6S2DonsemiIGBT 600V 75A TO247-3FGH60N60SFDFairchild (onsemi)FGH40T70SHDFairchild (onsemi)FGH50N3Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH47N60FAMI Semiconductor/onsemiFGH60N60SFTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH60N6S2onsemiIGBT 600V 75A 625W TO247FGH60N60SFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH50T65UPDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3FGH50N6S2DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที