ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQH140N10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FQH140N10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FQH140N10
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 70A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 375W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7900 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 285 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 140A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQH1 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FQH140N10
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQH140N10 | FQH140N10 | NTD60N02RG | BSC040N08NS5ATMA1 |
ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Infineon Technologies |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 70A, 10V | 10mOhm @ 70A, 10V | 10.5mOhm @ 20A, 10V | 4mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | ±25V | ±20V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 285 nC @ 10 V | 285 nC @ 10 V | 14 nC @ 4.5 V | 54 nC @ 10 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7900 pF @ 25 V | 7900 pF @ 25 V | 1330 pF @ 20 V | 3900 pF @ 40 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 1.25W (Ta), 58W (Tc) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 140A (Tc) | 140A (Tc) | 8.5A (Ta), 32A (Tc) | 100A (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8-PowerTDFN |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247 | DPAK | PG-TDSON-8-7 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3.8V @ 67µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 25 V | 80 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQH1 | - | NTD60 | BSC040 |
ชุด | QFET® | QFET® | - | OptiMOS™ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FQH140N10 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FQH140N10 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที