ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQH8N100C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FQH8N100C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FQH8N100C
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.45Ohm @ 4A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 225W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3220 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQH8N100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FQH8N100C
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQH8N100C | APT47F60J | FDMA291P | IRFR3911TRPBF |
ผู้ผลิต | onsemi | Microchip Technology | onsemi | Infineon Technologies |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 1.8V, 4.5V | 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ชุด | QFET® | POWER MOS 8™ | PowerTrench® | HEXFET® |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | 6-WDFN Exposed Pad | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V | 14 nC @ 4.5 V | 32 nC @ 10 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FQH8N100 | APT47F60 | FDMA291 | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | 600 V | 20 V | 100 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) | 49A (Tc) | 6.6A (Ta) | 14A (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 2.5mA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3220 pF @ 25 V | 13190 pF @ 25 V | 1000 pF @ 10 V | 740 pF @ 25 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.45Ohm @ 4A, 10V | 90mOhm @ 33A, 10V | 42mOhm @ 6.6A, 4.5V | 115mOhm @ 8.4A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 225W (Tc) | 540W (Tc) | 2.4W (Ta) | 56W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | ISOTOP® | 6-MicroFET (2x2) | D-Pak |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±8V | ±20V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FQH8N100C PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FQH8N100C - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที