ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR10L60CTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR10L60CTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR10L60CTG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 570 mV @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 220 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 5A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR10L60CTG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR10L60CTG | MBR10L100CTH | MBR10L100CT | MBR10H200CT |
| ผู้ผลิต | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 570 mV @ 5 A | 850 mV @ 10 A | 850 mV @ 10 A | 970 mV @ 10 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 220 µA @ 60 V | 20 µA @ 100 V | 20 µA @ 100 V | 5 µA @ 200 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR10 | MBR10 | MBR10 | MBR10 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 100 V | 100 V | 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 5A | 10A | 10A | 10A |
| ชุด | SWITCHMODE™ | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR10L60CTG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR10L60CTG - onsemi
MBR1100onsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR10L100CTHTaiwan Semiconductor Corporation10A, 100V, SCHOTTKY RECTIFIER
MBR10SA120Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT Module
MBR10U60CTEDAMBR10T100VISHMBR10L100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR10H150FCTMBR10H45CTMBR1100RLonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR10U100CTEDA
MBR10U60Micro Commercial Components (MCC)MBR10H45MBR10H200CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220ABMBR10H150CT_T0_00001Panjit International Inc.ULTRA LOW IR SCHOTTKY BARRIER RE
MBR10H200CT-E3/45Electro-Films (EFI) / Vishay
MBR10H150CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220MBR1100GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIALMBR10H150CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที