ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR10L100CTH
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - MBR10L100CTH คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - MBR10L100CTH
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation MBR10L100CTH
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR10L100CTH | MBR10L60CTG | MBR10H150CT-E3/45 | MBR10L100CT |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 µA @ 100 V | 220 µA @ 60 V | 5 µA @ 150 V | 20 µA @ 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR10 | MBR10 | MBR10 | MBR10 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 5A | 5A | 10A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 10 A | 570 mV @ 5 A | 880 mV @ 5 A | 850 mV @ 10 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | SWITCHMODE™ | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220 | TO-220-3 | TO-220AB |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 60 V | 150 V | 100 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR10L100CTH PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ MBR10L100CTH - Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10H45MBR10U100CTEDA
MBR10SA120-70Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleMBR10L60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR10H150CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220MBR10T100VISHMBR10H150FCTMBR10SA120-50Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleMBR10L100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR10H45CT
MBR10H200CT-E3/45Electro-Films (EFI) / VishayMBR10H150CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
MBR1100onsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIAL
MBR10U60Micro Commercial Components (MCC)MBR10U60CTEDAMBR10H200CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220ABMBR10SA120Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleMBR10H150CT_T0_00001Panjit International Inc.ULTRA LOW IR SCHOTTKY BARRIER RE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที