ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR20200CTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR20200CTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR20200CTG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR20200CTG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR20200CTG | MBR20200CT | MBR20200CT-G1 | MBR20200FCT |
| ผู้ผลิต | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220AB | TO-220-3 | ITO-220AB |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 200 V | 100 µA @ 200 V | 50 µA @ 200 V | 100 µA @ 200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20200 | MBR20200 | MBR20200 | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 20A | 10A | 20A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 10 A | 1.23 V @ 20 A | 900 mV @ 10 A | 900 mV @ 10 A |
| ชุด | SWITCHMODE™ | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR20200CTG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR20200CTG - onsemi
MBR20200CTPAMI Semiconductor/onsemi
MBR20200DCPANJITMBR20200CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220ABMBR20200CT-G1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220MBR20200FCTYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdSCHOTTKY DIODE 200V 20A ITO-220AMBR20200CTTUonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220MBR20200FMHCHXM
MBR20200CTF-G1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220FMBR20200CTFAAF
MBR20200CTTUFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHAMBR20200CT-LJDiodes IncorporatedDIODE ARRAY 200V 10A TO220AB
MBR20200CT-BPMicro Commercial CoDIODE SCHOTTKY 20A 200V TO-220ABMBR20200CT/20200PANJITMBR20200CT-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220MBR20200CTF-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220FMBR20200CT_T0_00001Panjit International Inc.TO-220AB, SKYMBR20200CTWPANJITMBR20200CTG B20200GAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที