ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR20200CTTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - MBR20200CTTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - MBR20200CTTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor MBR20200CTTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR20200CTTU | MBR20200FCT | MBR20200FCT_T0_00001 | MBR20200PT |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Panjit International Inc. | Taiwan Semiconductor Corporation |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | ITO-220AB | ITO-220AB | TO-247AD (TO-3P) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack | TO-247-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 200 V | 100 µA @ 200 V | 50 µA @ 200 V | 100 µA @ 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 20A | 20A | 20A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 10 A | 900 mV @ 10 A | 900 mV @ 10 A | 1.02 V @ 20 A |
MBR20200CT/20200PANJIT
MBR20200CTG B20200GAMI Semiconductor/onsemiMBR20200FCTYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdSCHOTTKY DIODE 200V 20A ITO-220AMBR20200DCPANJITMBR20200FCT_T0_00001Panjit International Inc.ITO-220AB, SKYMBR20200PTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247MBR20200PTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MBR20200SCTF-E1BCD
MBR20200CTF-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220FMBR20200CTPAMI Semiconductor/onsemiMBR20200CT_T0_00001Panjit International Inc.TO-220AB, SKYMBR20200CTFAAF
MBR20200CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220MBR20200CTWPANJIT
MBR20200CTTUonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220MBR20200SCT-E1BCDMBR20200CTF-G1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220FMBR20200FMHCHXM| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที