ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR30L60CTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR30L60CTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR30L60CTG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 620 mV @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 350 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30L60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR30L60CTG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR30L60CTG | MBR30L120CT | MBR30H60CTG | MBR30L45CTG |
| ผู้ผลิต | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | onsemi |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 350 µA @ 60 V | 20 µA @ 120 V | 300 µA @ 60 V | 650 µA @ 45 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | 30A | 15A | 15A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 120 V | 60 V | 45 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220AB | TO-220 | TO-220 |
| ชุด | SWITCHMODE™ | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 620 mV @ 15 A | 950 mV @ 30 A | 620 mV @ 15 A | 500 mV @ 15 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30L60 | MBR30 | MBR30H60 | MBR30L45 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR30L60CTG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR30L60CTG - onsemi
MBR3100GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 3A AXIALMBR30T1AMI Semiconductor/onsemi
MBR3100VRTR-G1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214ACMBR30L120CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220MBR30H60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR30H60GAMI Semiconductor/onsemi
MBR30L150AMBR30L100MBR30L45GAMI Semiconductor/onsemiMBR30L45CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR30L100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR3100onsemiDIODE SCHOTTKY 100V 3A AXIAL
MBR30L60TTaiwan SemiconductorMBR30L60CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR3100RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 3A AXIALMBR3100RLonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 3A AXIALMBR30L45CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
MBR3100PTLITEON| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที