ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR41H100CTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR41H100CTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR41H100CTG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 20A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR41 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR41H100CTG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR41H100CTG | MBR50020CT | MBR500100CT | MBR500200CT |
| ผู้ผลิต | onsemi | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 20A | 250A | 250A | 250A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 20 A | 750 mV @ 250 A | 880 mV @ 250 A | 920 mV @ 250 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 20 V | 100 V | 200 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 3 mA @ 200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR41 | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ชุด | SWITCHMODE™ | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR41H100CTG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR41H100CTG - onsemi
MBR50020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 250A 2TOWER
MBR5100PANJITMBR500100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 250A 2TOWER
MBR5040T1GAMI Semiconductor/onsemiMBR500200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWERMBR40L60GAMI Semiconductor/onsemiMBR40L60CTGONsemiMBR50030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 250A 2TOWERMBR41H100CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR460MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 4A 5DFN
MBR40SA060-50Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT Module
MBR40H60PTElectro-Films (EFI) / Vishay
MBR40H60CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR40L15CWPBFIRMBR5100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFNMBR40L45CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR5025LonsemiRECTIFIER DIODE, SCHOTTKYMBR41H100CT-1GAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที