ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR50020CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR50020CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR50020CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 250 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 250A |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR50020CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR50020CT | MBR500100CT | MBR41H100CT | MBR41H100CTG |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | onsemi | onsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | TO-220 | TO-220 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 250 A | 880 mV @ 250 A | 800 mV @ 20 A | 800 mV @ 20 A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ชุด | - | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 250A | 250A | 20A | 20A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | TO-220-3 | TO-220-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR50020CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR50020CT - GeneSiC Semiconductor
MBR500100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 250A 2TOWERMBR41H100CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR40L60CTGONsemiMBR5100PANJITMBR41H100CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR50030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 250A 2TOWERMBR460MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 4A 5DFNMBR40L60GAMI Semiconductor/onsemiMBR41H100CT-1GAMI Semiconductor/onsemiMBR500200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWERMBR5100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN
MBR40SA060-50Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleMBR5100_AY_10001PANJITMBR5200BLMBR5150_AY_10001PANJITMBR5025LonsemiRECTIFIER DIODE, SCHOTTKYMBR5150PANJITMBR5040T1GAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที