ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRD835L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBRD835L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBRD835L
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 510 mV @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.4 mA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBRD835 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBRD835L
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRD835L | MBRD835LG | MBRD835LT4G | MBRD835LT4 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - |
| ชุด | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 35 V | 35 V | 35 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | DPAK | DPAK | DPAK |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBRD835 | - | MBRD835 | MBRD835 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRD835L PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBRD835L - onsemi
MBRD835LGFairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
MBRD660LT1GAMI Semiconductor/onsemiMBRD835LT4GonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835LT4onsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD660LT4GAMI Semiconductor/onsemiMBRD835LGonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835LTAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CTT4onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660CTT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD835L MOSAMI Semiconductor/onsemiMBRD835L-T4AMI Semiconductor/onsemi
MBRD835L-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 35V 8A TO252MBRD660CTRLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
MBRD835-G-T4SSMBRD660CTT4G B660TGAMI Semiconductor/onsemi
MBRD835SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 35V DPAKMBRD6U60CT-RTF/HKECMBRD835LT4 MOSAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที