ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBRD660CTT4G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBRD660CTT4G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBRD660CTT4G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 700 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 3A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBRD660 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBRD660CTT4G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBRD660CTT4G | MBRD660CTG | MBRD660CT | MBRD660CT-TP |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micro Commercial Co |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | DPAK | D-PAK (TO-252AA) | D-Pak |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBRD660 | MBRD660 | MBRD6 | MBRD660 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 3A | 3A | 3A | 6A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 60 V | 100 µA @ 60 V | 100 µA @ 60 V | 50 µA @ 60 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 700 mV @ 3 A | 700 mV @ 3 A | 700 mV @ 3 A | 740 mV @ 3 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBRD660CTT4G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBRD660CTT4G - onsemi
MBRD6U60CT-RTF/HKECMBRD660CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
MBRD660LT4GAMI Semiconductor/onsemi
MBRD835SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 35V DPAKMBRD660CTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660CTT4G B660TGAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CT-TPMicro Commercial CoDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 6A DPAKMBRD835L MOSAMI Semiconductor/onsemi
MBRD835L-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 35V 8A TO252
MBRD660CT MOSElectro-Films (EFI) / VishayMBRD660CTT4onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
MBRD660CTGFairchild SemiconductorSCHOTTKY POWER RECTIFIER, SWITCHMBRD835LonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD660CTPBFElectro-Films (EFI) / VishayMBRD660CTRLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD835-G-T4SSMBRD660LT1GAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที