ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMBV809LT1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MMBV809LT1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MMBV809LT1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 20 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ชุด | - | |
| Q @ Vr, F | 75 @ 3V, 500MHz | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 125°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทไดโอด | Single | |
| สภาพอัตราส่วนประจุกระแสไฟ | C2/C8 | |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ | 2.6 | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 6.1pF @ 2V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBV809 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0070 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MMBV809LT1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMBV809LT1 | MMBV809LT1G | MMBV432LT1G | MMBV432LT1 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBV809 | MMBV809 | MMBV43 | MMBV43 |
| ประเภทไดโอด | Single | Single | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 20 V | 20 V | 14 V | 14 V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ | 2.6 | 2.6 | 2 | 2 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| สภาพอัตราส่วนประจุกระแสไฟ | C2/C8 | C2/C8 | C2/C8 | C2/C8 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Q @ Vr, F | 75 @ 3V, 500MHz | 75 @ 3V, 500MHz | 150 @ 2V, 100MHz | 150 @ 2V, 100MHz |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 6.1pF @ 2V, 1MHz | 6.1pF @ 2V, 1MHz | 48.1pF @ 2V, 1MHz | 48.1pF @ 2V, 1MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 125°C (TJ) | 125°C (TJ) | 125°C (TJ) | 125°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MMBV809LT1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MMBV809LT1 - onsemi
MMBV809LT3AMI Semiconductor/onsemiMMBV809LT1GonsemiDIODE TUNING SS 20V SOT23
MMBZ10VAL-7Diodes IncorporatedTVS DIODE 6.5VWM 14.2VC SOT23MMBV432LT1GonsemiDIODE TUNING SS 14V SOT23
MMBZ10VALT116Rohm SemiconductorTVS DIODE 6.5VWM 14.2VC SOT23MMBV3700LT1onsemiDIODE TUNING SS 200V SOT23MMBV432LT1onsemiDIODE TUNING SS 14V SOT23MMBV809LT3GonsemiDIODE TUNING SS 20V SOT-23MMBZ10VAL-7-FDiodes IncorporatedTVS DIODE 6.5VWM 14.2VC SOT23
MMBZ10VAL215Freescale / NXP SemiconductorsMMBV609LT1ONsemiMMBZ10VAL,215NXP SemiconductorsMMBV409LT1GonsemiDIODE TUNING SS 20V SOT-23MMBV3700LT1GonsemiRF DIODE PIN 200V 200MW SOT23-3MMBZ10VALFreescale / NXP SemiconductorsMMBV809AMI Semiconductor/onsemiMMBV609LT1GonsemiDIODE TUNING SS 20V SOT23MMBV409LT1onsemiDIODE TUNING SS 20V SOT-23| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที