ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMBZ10VALT116
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - MMBZ10VALT116 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - MMBZ10VALT116
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 6.5V (Max) | |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 14.2V | |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 9.5V | |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 2 | |
| ชนิด | Zener | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SSD3 | |
| ชุด | - | |
| การป้องกันสายไฟ | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| พลังงาน - Peak Pulse | 24W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 1.7A | |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | 105pF @ 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBZ10 | |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor MMBZ10VALT116
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMBZ10VALT116 | MMBZ12VALT116 | MMBZ10VAL-7 | MMBZ12VALT1G |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated | onsemi |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 1.7A | 2.35A | 1.7A | 2.35A |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 9.5V | 11.4V | 9.5V | 11.4V |
| พลังงาน - Peak Pulse | 24W | 40W | 24W | 40W |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 6.5V (Max) | 8.5V (Max) | 6.5V | 8.5V |
| การป้องกันสายไฟ | No | No | No | No |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBZ10 | MMBZ12 | MMBZ10V | MMBZ12 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | 105pF @ 1MHz | 85pF @ 1MHz | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SSD3 | SSD3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ชนิด | Zener | Zener | Zener | Zener |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 14.2V | 17V | 14.2V | 17V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose | General Purpose | General Purpose | General Purpose |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | - | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MMBZ10VALT116 PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ MMBZ10VALT116 - Rohm Semiconductor
MMBZ12VDLNEXPMMBZ12VALT116Rohm SemiconductorTVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23MMBV609LT1GonsemiDIODE TUNING SS 20V SOT23MMBV809LT3GonsemiDIODE TUNING SS 20V SOT-23
MMBZ10VALT1GAMI Semiconductor/onsemi
MMBZ10VALFreescale / NXP SemiconductorsMMBV809LT3AMI Semiconductor/onsemiMMBZ10VAL-7Diodes IncorporatedTVS DIODE 6.5VWM 14.2VC SOT23MMBV809AMI Semiconductor/onsemiMMBV809LT1onsemiDIODE TUNING SS 20V SOT23MMBZ12VASHIKUESMMBV809LT1GonsemiDIODE TUNING SS 20V SOT23MMBZ12VALT1GonsemiTVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3MMBZ15VJXND
MMBZ12VALNexperiaMMBZ13VASHIKUESMMBZ10VAL-7-FDiodes IncorporatedTVS DIODE 6.5VWM 14.2VC SOT23MMBZ15VASHIKUES| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที